氧化物掺杂改性 从铅基陶瓷发展历程可知,氧化物掺杂改性是提高pzt陶瓷电学性能的---途径,压电陶瓷方片,是pzt陶瓷实用化的关键和基础.如未掺杂的准同型相界(mpb)组成的pb(ti0.48zr0.52)o3陶瓷d33仅为223pc/n,而在la,nb等施主掺杂改性后,其d33升高至274~710pc/n,从而满足实际应用的要求.类似地,氧化物掺杂改性对bnt基陶瓷压电铁电性能的影响也被广泛研究.表4列出了氧化物掺杂改性的bnt基陶瓷的压电性能.从表4可以看出,类似于氧化物改性的pzt陶瓷,压电陶瓷圆管,受主和施主离子掺杂改性将导致bnt基陶瓷压电性质的/硬化0和/软化0.mn和co一般显示出受主掺杂效应.co掺杂提高了机械品质因数qm,压电性能略为降低;与co稍有不同,mn掺杂使qm提高,也---了压电性能,这可能是由于陶瓷致密度的---和mn元素本身的多价态特性.











目前比较常见的锗钛酸铅压电陶瓷片(pzt),是用锆、钛、铅的氧化物配制后烧结而成的。鉴于人耳对频率约为3khz的音响敏感,所以通常将压电陶瓷片的谐振频率f0设计在3khz左右。考虑到在低频下工作,仅用一片压电陶瓷片难以满足频率要求,—般采用双膜片结构目前比较常见的锗钛酸铅压电陶瓷片(pzt),压电陶瓷圆柱,是用锆、钛、铅的氧化物配制后烧结而成的。鉴于人耳对频率约为3khz的音响敏感,所以通常将压电陶瓷片的谐振频率f0设计在3khz左右。考虑到在低频下工作,仅用一片压电陶瓷片难以满足频率要求,—般采用双膜片结构,



(a).
(b).
光学方面:
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